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Infineon Technologies IPD80R450P7ATMA1
| Artikelnummer: | IPD80R450P7ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 11A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $2.42 |
| 10+ | $2.178 |
| 100+ | $1.7507 |
| 500+ | $1.4384 |
| 1000+ | $1.1918 |
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Infineon Technologies IPD80R450P7ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD80R450P7ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 220µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-2 Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V Verlustleistung (max) 73W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) Grundproduktnummer IPD80R IPD80R450P7ATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD80R450P7ATMA1 PDF - EN.pdf -
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